熱膨脹傳感器基本資料

 

　　熱膨脹傳感器的種類甚多、傳統(tǒng)的測量方法是利用彈性元件的形變和位移來表示，但它的體積大、笨重、輸出非線性。隨著微電子技術(shù)的發(fā)展，利用半導體材料的壓阻效應(yīng)和良好的彈性，研制出半導體力敏傳感器，主要有硅壓阻式和電容式兩種，它們具有體積小、重量輕、靈敏度高等優(yōu)點，因此熱膨脹傳感器得到廣泛應(yīng)用。當對一塊半導體在某一晶向上施加應(yīng)力時，其電阻率會產(chǎn)生一定的變化。

 

　　這種導體電阻率變化和應(yīng)力之間的相互關(guān)系稱為半導體壓阻效應(yīng)，利用此效應(yīng)制成的力學量傳感器稱為壓阻式力敏傳感器，它有兩種類型，一類是將半導體應(yīng)變計粘貼在彈性元件上制成的傳感器，稱為粘貼型壓阻式傳感器，另一類是在半導體材料的基片上用集成電路工藝制成的擴散電阻，使應(yīng)變計與硅襯底形成同一整體的傳感器，稱為擴散型壓阻式傳感器。

 

　　熱膨脹傳感器由四只半導體應(yīng)變片接成全橋形式，用粘合劑貼在彈性元件上構(gòu)成，它具有很高的應(yīng)變靈敏系數(shù)，一般為20～200，因此輸出高，輸出靈敏度一般為15～0mV/V，但易發(fā)生零點漂移與蠕變，同時還存在半導體應(yīng)變片和彈性元件熱膨脹所帶來的溫度漂移等影響。擴散型壓阻式力敏傳感器大都采用單晶硅和半導體平面工藝制成的。一般以N 型硅為襯底，采用氧化、擴散等工藝將硼原子沿給定的晶向擴散到n 型硅襯底材料中，形成P 型擴散層。

 

　　結(jié)果硼擴散區(qū)便形成應(yīng)變電阻，并用襯底形成一個整體，當它受到壓力作用時，應(yīng)變電阻發(fā)生變化，從而使輸出發(fā)生變化。

 

　　壓阻式力敏傳感器有靈敏度高、精度高、體積小、重量輕、工作頻率高、結(jié)構(gòu)簡單、工作可靠、壽命長等特點。

 

　　熱膨脹傳感器近來得到了迅速發(fā)展，這種傳感器的核心部分是對壓力敏感的電容器。力敏電容器的電容量是由電極面積和兩個電極間的距離決定。

 

　　當硅膜片兩邊存在壓力差時，硅膜片產(chǎn)生形變，電容器極板間的間距發(fā)生變化，從而引起電容量的變化。這樣，電容變化量與壓差有關(guān)，因此，就可作為力敏傳感器。熱膨脹傳感器與壓阻式力敏傳感器相比，具有靈敏度高、溫度穩(wěn)定性好、壓力量程大等特點。